YMTC 128층 QLC 3D NAND의 개발 성공 - 칩 하나로 1.33T 비트

 YMTC 128층 QLC 3D NAND의 개발 성공 - 칩 하나로 1.33T 비트

[이 포스팅은 일본 기사를 번역한 것 입니다.]

출처 - https://news.mynavi.jp/article/20200415-1017103/

128 층의 3D NAND 중국 업체가 개발

중국 청화 자광 그룹 산하의 장강(YMTC)은 4월 13일, 

128 층의 QLC (4 비트 / 셀) 3D NAND형 플래시 메모리(번호 : X2-6070)의 개발에 성공하여 

여러 중국 내 회사에서 SSD 및 기타 스토리지 제품용으로 검증했다고 발표했다.

이 제품은 128 층에 총 3660억 개를 넘는 차지 트랩 메모리 셀이 탑재되어 있으며, 

기록 용량은 1.33T 비트 I / O 성능은 1.6Gbps 이라고 한다.

또한 함께 다양한 애플리케이션 요구에 대응할 수있는

128층 TLC (3비트 / 셀) 3D NAND를 채용한 

512G 비트 제품 (제품 번호 : X2-9060)도 출시한다고 한다.

이 회사는 이번 128 층 제품에서 독자 기술인 메모리 셀 어레이와 

주변 회로를 별도의 웨이퍼에서 제조하고 나중에 붙여 맞추는 Xtacking 기술이 

Version2.0 (Xtacking 2.0)로 업그레이드 되었다고 설명하고 있다. 

또한이 기술로 CMOS 회로 부분을 NAND 부분에 비해 

더 미세한 공정으로 제조 할 수 있기 때문에 

Xtacking 2.0 칩 면적을 늘리지 않고도 3D NAND의 확장 성을 향상시킬 수 있게 되었다고 한다.

128 층 3D NAND의 첫 번째 응용 프로그램은 소비자 SSD

YMTC의 마케팅 및 영업 담당 수석 부사장 Gong Yi 씨는 

"NAND 업계의 신규 진입하면서 YMTC는 3년 사이에 32층에서 64층, 

그리고 96층을 스킵해 단숨에 128층까지 층수를 늘릴 수있는 메모리 셀 어레이와 

주변 회로를 따로 만들어 붙여 맞추는 자체 Xtacking2.0의 

실용화로, 향후 NAND의 가능성을 높이는 것에 연결. 

이러한 가능성을 보여주는 128층 QLC 제품 첫 번째 응용 프로그램은 

소비자 SSD로 예상되며, 이후 엔터프라이즈 SSD 전용으로 제공하면서

향후 5G 및 AI 시대의 다양한 데이터 스토리지 요구에 대응해 나갈 예정이다 "고 말했다.